UV光刻机一般可以分为5种，即：接触式光刻机，接近式光刻机，扫描投影式光刻机，步进投影式光刻机，步进扫描投影式光刻机。我们目前芯片厂使用较多的stepper与scanner则包含在这5种之中。今天就来仔细剖析一下，这五种光刻机的区别及应用场景。
接触式光刻机
接触式光刻机是上世纪70年代最主要的光刻机台，不过在目前的研究机构中用的也比较多。接触式光刻机又可以分为硬接触，软接触，真空接触。
硬接触
掩膜版与晶圆上的光刻胶直接地接触，紧贴晶圆，没有任何间隙。但是掩膜版与晶圆之间接触，晶圆的光刻胶会污染掩膜版.
软接触
将掩膜版轻轻地放置在晶圆上，使得掩膜版和晶圆之间实际上是有接触的，但接触的压力比"硬接触"要小得多。【足记网】这种方式的目的是在确保高分辨率的同时，减少掩膜版和基材之间的损坏风险。
真空接触
先将掩膜版与晶圆之间抽至真空，由于气压的作用，掩膜版会被压向硅片，从而确保两者之间的均匀接触。
接近式光刻机
掩膜版与晶圆并不真正接触，而是处于非常小的距离（大约几微米），这种方式中掩膜版与晶圆之间有一个小间隙，大于软接触但小于投影式光刻的间隙。虽然这个间隙相对较小，但它能够使使掩模和硅片不会直接接触，从而降低了损坏的风险。
扫描投影式曝光机
注意，这里说的不是Scanner。该种光刻机中掩膜版与图案的大小是1：1，即掩膜版上的尺寸与光刻胶上的图案尺寸相同。那为什么叫扫描？这是因为光是透过一条细长的狭缝射在晶圆上，一般是一次曝光晶圆的数行，晶圆需要挪动位置，使光能将晶圆所有的区域都曝光。
步进投影式光刻机（stepper）
它使用透镜系统将掩模上的图案在小面积上逐个投影到硅片上。每次曝光一个小区域后，硅片会移动到下一个位置，直到整个硅片都被曝光。一个曝光区域就是一个“shot”。因为它是通过透镜系统投影，一般I线stepper使用的是5倍版，即掩膜版上图形尺寸是实际光刻胶上的尺寸的5倍，所以在掩膜板上可以设计更复杂的图形。
步进扫描投影式光刻机（scanner）
在高端的半导体制造中一般会用到此种机型。Scanner的特点是在曝光过程中，掩膜版在一个方向上移动，同时晶圆在与其垂直的方向上同步移动。Scanner通常比其他曝光机具有更高的生产效率，设计和制造都非常复杂，Scanner的购买和维护成本都很高。
UV光刻机的类型大致就这几种，今天只讲个梗概，后续我再分开一一详细描述。
